Salutan Sputtering Apabila zarah bertenaga tinggi mengebom permukaan pepejal, zarah pada permukaan pepejal boleh mendapat tenaga dan melarikan diri dari permukaan untuk dimendapkan pada substrat.Fenomena sputtering mula digunakan dalam teknologi salutan pada tahun 1870, dan secara beransur-ansur digunakan dalam pengeluaran perindustrian selepas tahun 1930 disebabkan oleh peningkatan kadar pemendapan.Peralatan sputtering dua kutub yang biasa digunakan ditunjukkan dalam Rajah 3 [Rajah skematik dua sputtering tiang salutan vakum].Biasanya bahan yang akan didepositkan dibuat menjadi sasaran plat, yang dipasang pada katod.Substrat diletakkan pada anod menghadap permukaan sasaran, beberapa sentimeter dari sasaran.Selepas sistem dipam ke vakum yang tinggi, ia diisi dengan gas 10~1 Pa (biasanya argon), dan voltan beberapa ribu volt digunakan di antara katod dan anod, dan nyahcas cahaya dihasilkan di antara dua elektrod. .Ion positif yang dihasilkan oleh nyahcas terbang ke katod di bawah tindakan medan elektrik dan berlanggar dengan atom pada permukaan sasaran.Atom sasaran yang terlepas dari permukaan sasaran akibat perlanggaran dipanggil atom sputtering, dan tenaganya berada dalam julat 1 hingga puluhan volt elektron.Atom yang terpercik diendapkan pada permukaan substrat untuk membentuk filem.Tidak seperti salutan penyejatan, salutan sputter tidak dihadkan oleh takat lebur bahan filem, dan boleh memercikkan bahan refraktori seperti W, Ta, C, Mo, WC, TiC, dll. Filem kompaun sputtering boleh terbantut oleh sputtering reaktif kaedah, iaitu, gas reaktif (O, N, HS, CH, dll.) ialah
ditambah kepada gas Ar, dan gas reaktif dan ionnya bertindak balas dengan atom sasaran atau atom terpercik untuk membentuk sebatian (seperti oksida, nitrogen) Sebatian, dsb.) dan dimendapkan pada substrat.Kaedah sputtering frekuensi tinggi boleh digunakan untuk mendepositkan filem penebat.Substrat dipasang pada elektrod yang dibumikan, dan sasaran penebat dipasang pada elektrod bertentangan.Satu hujung bekalan kuasa frekuensi tinggi dibumikan, dan satu hujung disambungkan kepada elektrod yang dilengkapi dengan sasaran penebat melalui rangkaian yang sepadan dan kapasitor penyekat DC.Selepas menghidupkan bekalan kuasa frekuensi tinggi, voltan frekuensi tinggi secara berterusan menukar kekutubannya.Elektron dan ion positif dalam plasma mencapai sasaran penebat semasa separuh kitaran positif dan separuh kitaran negatif voltan, masing-masing.Oleh kerana mobiliti elektron lebih tinggi daripada ion positif, permukaan sasaran penebat bercas negatif.Apabila keseimbangan dinamik dicapai, sasaran berada pada potensi bias negatif, supaya ion positif yang terpercik pada sasaran berterusan.Penggunaan sputtering magnetron boleh meningkatkan kadar pemendapan hampir satu susunan magnitud berbanding dengan sputtering bukan magnetron.
Masa siaran: Jul-31-2021